30W 50V GaN HEMT Rf PA Amplificador de Potência RF Transistor de Potência RF para 5700- 5900MHz

O YP40601625T é um GaN HEMT de 30 watts, equipado internamente, projetado para múltiplas aplicações com frequências de 4000 a 6000 MHz, em particular 5700- 5900 MHz.O desempenho é garantido para aplicações que operam nas frequências mencionadas Não há garantia de desempenho quando esta parte é utilizada em aplicações concebidas fora destas frequências. Desempenho típico (em luminárias de injecção): VDD = 50 volts, IDQ = 110 mA, CW, Psat> 30W

Aplicações e características

• Adequado para infra-estruturas de comunicação sem fios, radar comercial, amplificador de banda larga, jammer, EMCtesting, ISM, etc.
• Operações de alta eficiência e ganho linear
• Pacote de padrões industriais melhorados termicamente
• Processo de metalização de alta confiabilidade
• Excelente estabilidade térmica e excelente dureza
• Compatível com a Directiva 2002/95/CE relativa à restrição das substâncias perigosas (RoHS) NOTA Importante: Sequência de desvio adequada para os transistores GaN HEMTConfigurar VGS para a tensão de desligamento (VP), tipicamente 5 V 2. Ligue o VDS à tensão de alimentação nominal (50 V) 3. Aumente o VGS até que a corrente IDS seja atingida 4. Aplique a potência de entrada de RF ao nível desejado Desligue o dispositivo 1. Desligue a potência de RF 2.Reduzir VGS para VP, tipicamente 5 V 3. Reduzir o VDS para 0 V 4. Desligar o VGS

NOTA IMPORTANTE: Sequência de desvio adequada para transistores GaN HEMT

Ligando o dispositivo

1.Configurar a tensão VGS na tensão de desligamento (VP), tipicamente 5 V

2Ligue o VDS à tensão nominal de alimentação (50 V)

3.Aumentar o VGS até atingir a corrente IDS

4Aplicar a potência de entrada de RF para o nível desejado

Desligar o dispositivo

1Desligue a energia de RF.

2.Reduzir o VGS para VP, normalmente ¥5 V

3Reduzir VDS para 0 V 4. Desligar VGS